集设计、研发、生产和销售为一体的强技术导向型功率芯片供应商【中晶新源(SiNESEMI)】推出了业界领先的30V/N沟道MOSFET-SMT3001ALR。该器件主要电气参数RDS(ON)_Typ 和 FOM值均优于友商同类产品。采用薄小型 PDFN3333-8L封装，在VGS＝10V条件下, RDS(ON)_Typ 低至 0.99mΩ，达成同类Punch-type业界最佳性能，广泛应用于开关电源同步整流及BLDC电机等领域。在实际应用电路中，产品的卓越性能极大程度地降低了系统整体功率损耗，获得市场和客户的一致好评。
双管正激电源其拓扑电路结构图，如下图所示。系统输入电压为交流220V，输出电压为直流5V/60A，300W输出功率。
测试场景一: 在没有散热片的情况下，测试5分钟，实验室测试图片如下
(图1 SMT3001BLP测试)
(图2 友商测试)
测试结果如下：
测试场景二: 在加装散热片的情况下，测试30分钟，实验室测试图片如下
(图3 SMT3001BLP测试)
(图4 友商测试)
测试结果如下：
相比传统的二极管整流，MOSFET整流大大降低了功率损耗，提升了系统的整体效率；在散热条件一般的情况下，开关电源的效率接近90%。另外，同等测试条件下，系统的效率比友商高，器件的温升也比友商低。很重要的一个原因是在高频开关电源中，次级同步整流MOSFET具备低的正向导通电阻RDS(ON)、 体二极管反向恢复电荷Qrr、体二极管正向导通压降VSD以及输出电容Coss，可以大幅降低开关损耗和导通损耗，从而提升系统整体效率。
输出电容Coss的功率损耗计算公式如下：
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