针对光伏/储能等清洁能源，中晶新源专门开发了高效能、高可靠性、高开关频率的第三代高压功率器件，如Super Junction、SiCMOSFET、GaN、IGBT、IGBT Module及其Gate Driver。针对SiC MOSFET, 为了让器件更快, Rds(on)、Crss、Qg、Coss等进行了trade-off, 以支持更高的功率密度，更低的系统损耗，从而实现更高的系统效率。针对IGBT单管及模块，中晶新源专门优化了Vcesat、Eon、Eoff、热阻、Qg等关键技术参数，进一步提升了其软特性和EMI能力。
高效能：高压功率器件低功率损耗，提升系统效率，保障正常运行与最大发电量
高安全性：适配户外环境，可处理高电压、大电流及过压短路，具备高可靠与强鲁棒性
高稳定性：耐受不同气候、温度、光照工况，适配逆变器 10-25 年寿命（多数组串逆变器约 10 年）
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