中晶高性能150V SGT MOSFET,助力提升无人机动力系统效率与可靠性_产品新闻_中晶新源(上海)半导体有限公司

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中晶高性能150V SGT MOSFET,助力提升无人机动力系统效率与可靠性
产品新闻
2026.08.26

中晶新源推出采用先进SGT技术平台制造的150V N沟道功率MOSFET—SMT15T02AHTL。该产品采用高功率密度TOLL封装,实现2.0mΩ超低导通阻抗与302A大电流承载能力,专为高性能无人机电调动力系统设计,已在多个头部客户通过验证并批量出货。



中晶高性能150V SGT MOSFET,助力提升无人机动力系统效率与可靠性(图1)


基于器件结构与工艺协同优化,SMT15T02AHTL 核心性能指标达行业领先水平。导通阻抗低至 2.0mΩ,较国际一线厂商同类产品降低约 5%,相比国内主流竞品降低约 29%。此外,通过改善漏源导通电阻【RDS(ON)】与总栅极电荷 (Qg) 之间的平衡,实现优异的品质因数 FOM 表现,在降低导通损耗的同时保持高速开关性能。




中晶高性能150V SGT MOSFET,助力提升无人机动力系统效率与可靠性(图2)


针对大功率、大电流载重无人机应用中出现的 di/dt、dv/dt 瞬态响应,SMT15T02AHTL进一步优化器件的动态参数,有效抑制无人机油门从0% ~100% 负载突变过程中的电压尖峰,同时避免由米勒寄生效应导致的误开通现象,提升系统抗冲击能力及长期运行可靠性。



成功案例



SMT15T02AHTL 助力MTOW≤128kg级大载重无人机实现高效动力输出。(搭载24S LiPo电池、采用FOC算法控制的高功率无刷电机电调系统

中晶高性能150V SGT MOSFET,助力提升无人机动力系统效率与可靠性(图3)





4 管并联单轴 24pcs,MTOW 128kg 级大载重无人机应用场景,支持200A母线电流及26kW峰值功率输出



SMT15T02AHTL壳温为51℃,较友商同类产品温升降低 5°C~10°C,增加电调系统最大输出功率,提升电池续航能力



严格 ΔVGS(th) 规格管理,确保器件并联均流特性


  提供成熟多管并联外围系统电路设计方案,全生命周期支持客户量产




基于SMT15T02AHTL产品平台,中晶新源将进一步拓展TOLT、TO-263-7L 等多元封装方案,形成系列化产品布局,满足无人机电调动力系统、5G/6G通信电源及大功率车载电源等高功率转换应用对高效率、高功率密度与高可靠性的要求。



中晶高性能150V SGT MOSFET,助力提升无人机动力系统效率与可靠性(图4)




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中晶新源专注高性能功率半导体技术创新,构建 SGT、SiC、GaN 多技术平台,赋能 AI 智算与绿色能源产业,以芯片驱动能量转换,助力万物智能与绿色未来。


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